FDS89141, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 100В, 3,5А, 31Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044388362
- Артикул
- FDS89141
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SO8
- Width
- 5mm
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 840 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
НА МОП-транзистораx Semis PowerTrench® оптимизирована коммутация мощности, что обеспечивает повышенную эффективность системы и плотность мощности.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Width | 5mm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.11 |
| Gate charge | 7.1nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOIC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 3.5A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 31W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.107Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 100V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 31 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 107 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |