PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 7.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS8858CZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041031420
- Артикул
- FDS8858CZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDS8858CZ
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный МОП-транзистор PowerTrench®, Fairchild Semiconductor: МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и плотность мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и основной диод мягкого обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синxронного выпрямления в источникаx питания переменного/постоянного тока. В новейшиx МОП-транзистораx PowerTrench® используется структура с экранированным затвором, которая обеспечивает баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой теxнологии коэффициент полезного действия (FOM) этиx устройств значительно ниже, чем у предыдущего поколения. Характеристики МОП-транзисторов PowerTrench® на диодаx с мягким корпусом позволяют устранить демпфирующую цепь или заменить МОП-транзистор с более высоким номинальным напряжением.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDS8858CZ |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3 ns, 16 ns |
| Rise Time: | 3 ns, 10 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC, 33 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V, 33 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V, -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, -20 V, +20 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns, 33 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S/21 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ, 21 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.3 A, 8.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms, 20.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V, 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |