Моя заявка (0)

FDS8690, Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт

FDS8690, Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063208566
Артикул
FDS8690
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
3.9 mm
Цена по запросу
(от 219 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 14A с 8-контактным разъемом SOIC на магнитной ленте и катушке (Alt: FDS8690)

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width3.9 mm
Height1.75 mm
Length4.9 mm
SeriesFDS8690
Fall Time19 ns
PackagingReel
Rise Time1.8 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.25
Unit Weight0.004586 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-8
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Power Dissipation2.5Вт
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time8 ns
Typical Turn-Off Delay Time26 ns
Id - Continuous Drain Current14 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Drain Source On State Resistance0.0063Ом
Rds On - Drain-Source Resistance6.3 mOhms
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Непрерывный Ток Стока14А
Рассеиваемая Мощность2.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0063Ом

Техническая документация