FDS86242, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 4,1А; 5Вт; SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565951
- Артикул
- FDS86242
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- N-Channel Power Trench MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDS86242
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 47,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench
Технические параметры
| Type: | N-Channel Power Trench MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDS86242 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.13 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |