FDS86240, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8718892076
- Артикул
- FDS86240
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- N-Channel Power Trench MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrenchВ®
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 548 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type: | N-Channel Power Trench MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrenchВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.8 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 5W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2570pF @ 75V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.5A(Ta) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0173 Ом |