Моя заявка (0)

FDS86141,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Surface Mount

FDS86141,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8149903557
Артикул
FDS86141
Бренд
ON Semiconductor***
Width
5mm
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 389 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

Width5mm
SeriesPowerTrench
Pin Count8
Вес, г0.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOIC
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Power Dissipation (Pd)2.5W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation5 W
Typical Gate Charge @ Vgs11.8 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)16.5nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)934pF@50V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Continuous Drain Current (Id)7A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance40 mΩ
Maximum Continuous Drain Current7 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)23mΩ@7A, 10V

Техническая документация