FDS86141, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005537581
- Артикул
- FDS86141
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 3
Цена по запросу
(от 269,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.8 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.5nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 934pF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |