FDS86140, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833962
- Артикул
- FDS86140
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.13
Цена по запросу
(от 372,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.13 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | FDS86140 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | TrenchFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.2 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.2 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |