FDS8447, Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001379691
- Артикул
- FDS8447
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 4mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 4mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Width | 3.99mm |
| Product Height | 1.5mm |
| Product Length | 5mm |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Fall Time | 7ns |
| Typical Rise Time | 14ns |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| разрешение | Power MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| конфигурация | Single; Quad Drain, Triple Source |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 49nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.6nF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 12.8A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12.8 A |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |