FDS6984AS, Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306609
- Артикул
- FDS6984AS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 625 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30 В 5,5 А/8,5 А с 8-контактным разъемом SOIC T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Package Width | 3.9 mm |
| Package Length | 4.9 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Maximum IDSS (uA) | 1@Q 1|500@Q 2 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 2|3@Q 1|4@Q 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 11|6@Q 1|7|5@Q 2 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8@Q 1|10@Q 2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8@10V@Q 1|10@10V@Q 2 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10|9@Q 1|9|8@Q 2 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13|22@Q 1|23@Q 2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.5@Q 1|8.5@Q 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 420@15V@Q 1|530@15V@Q 2 |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 31@10V@Q 1|20@10V@Q 2 |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |