Моя заявка (0)

FDS6975, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -6А, 2Вт, SO8, PowerTrench®

FDS6975, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -6А, 2Вт, SO8, PowerTrench®

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062075311
Артикул
FDS6975
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Width
4mm
Series
PowerTrench
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 203 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.

Технические параметры

PPAPNo
Width4mm
SeriesPowerTrench
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.11
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOIC
ConfigurationDual Dual Drain
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOIC
Process TechnologyTMOS
Transistor MaterialSi
Standard Package NameSO
Power Dissipation (Pd)900mW
Typical Fall Time (ns)18
Typical Rise Time (ns)22
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation2 W
Typical Gate Charge @ Vgs14.5 nC @ 5 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)20nC@5V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.54nF@15V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)6A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14.5@5V
Maximum Drain Source Resistance32 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)13
Maximum Continuous Drain Current6 A
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)47
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1540@15V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)32@10V

Техническая документация