FDS6912A, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 6А, 1,6Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540961
- Артикул
- FDS6912A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- Family
- Transistors-FETs, MOSFETs-Arrays
- Series
- PowerTrench
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FDS6912A производства ONSEMI - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Он обладает током стока 6 А и напряжением сток-исток 30 В, что делает его идеальным выбором для различных электронных применений. Мощность устройства составляет 1,6 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,028 Ом, обеспечивает эффективную работу и экономию энергии. Корпус SO8 обеспечивает компактное исполнение и лёгкость интеграции в электронные схемы. Для приобретения этого надежного компонента используйте код FDS6912A. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 6 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 1.6 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.028 Корпус SO8
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Arrays |
| Series | PowerTrench |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.22 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Standard Package | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.1nC @ 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |