FDS6898A, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 9,4А, 2Вт, SO8, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002560610
- Артикул
- FDS6898A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDS6898A
- Fall Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 160,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 9,4А, 2Вт, SO8, PowerTrench® Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDS6898A |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.22 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | FDS6898A_NL |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 47 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |