FDS6690A, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт 0.017Ом [SOP-8 / SOIC-8.]
![FDS6690A, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт 0.017Ом [SOP-8 / SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/163/DOC012163151.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000518628
- Артикул
- FDS6690A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.25
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- Advanced Trench Technology
Цена по запросу
(от 28,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Вес, г | 0.25 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | Advanced Trench Technology |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 48 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | soic |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 c |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0125Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.017Ом |