FDS6690A, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042953715
- Артикул
- FDS6690A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Type:
- MOSFET
Цена по запросу
(от 62,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Type: | MOSFET |
| Width | 3.9 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | FDS6690A |
| Series: | FDS6690A |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | MouseReel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 5 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.25 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | FDS6690A_NL |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | FDS6690A_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 48 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 48 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 13 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.5 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики, S | 48 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |