Моя заявка (0)
FDS6681Z, Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002305643
Артикул
FDS6681Z
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SO8
Width
4mm
Series
PowerTrench
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 263 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.

Технические параметры

CaseSO8
Width4mm
SeriesPowerTrench
MountingSMD
Pin Count8
TechnologyPowerTrench®
Вес, г0.13
Gate charge260nC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerONSEMI
Package TypeSOIC
Polarisationunipolar
Drain current-20A
Mounting TypeSurface Mount
Product Width3.99mm
Product Height1.5mm
Product Length5mm
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Supplier PackageSOIC N
Power dissipation2.5W
Typical Fall Time380ns
Typical Rise Time9ns
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±25V
On-state resistance6.5mΩ
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage-30V
разрешениеPower MOSFET
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
конфигурацияSingle; Quad Drain, Triple Source
Maximum Power Dissipation2.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs185 nC @ 10 V
Typical Turn-On Delay Time20ns
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time660ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current20 A
монтаж (установка)Surface Mount
Крутизна характеристики, S81
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
максимальная рабочая температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация