FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А 2.5Вт 0.013Ом [SOP-8 / SOIC-8.]
![FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А 2.5Вт 0.013Ом [SOP-8 / SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000338786
- Артикул
- FDS6680A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- Advanced SGT Technology
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Advanced SGT Technology |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5 Ом/12.5А, 10В |