FDS6679AZ-G, Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038865888
- Артикул
- FDS6679AZ-G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Минимальный заказ: 665 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET P-CH 30V 13A 8-контактный SOIC T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | LTB |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 3.9 mm |
| Package Length | 4.9 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 92 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Особенности | сквозной канал |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 68@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 210 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2890@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 9.3@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |