FDS6675BZ, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -11А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540957
- Артикул
- FDS6675BZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.15
Цена по запросу
(от 58,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -11А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.15 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 13 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |