Моя заявка (0)

FDS6673BZ, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -14,5А, 2,5Вт, SO8

FDS6673BZ, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -14,5А, 2,5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030844771
Артикул
FDS6673BZ
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Структура
MOSFET
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
3V@250uA
Цена по запросу
(от 126,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В2.5
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация