Моя заявка (0)
FDS6630A, Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002306602
Артикул
FDS6630A
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
3.9 mm
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 1189 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный полевой транзистор, 6,5 А, 30 В, N-канальный, MOSFET

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width3.9 mm
Height1.75 mm
Length4.9 mm
SeriesFDS6630A
Fall Time13 ns
PackagingReel
Rise Time8 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.3
Unit Weight0.004586 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-8
Part # AliasesFDS6630A_NL
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation2.5 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time5 ns
Typical Turn-Off Delay Time17 ns
Id - Continuous Drain Current6.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min13 S
Rds On - Drain-Source Resistance38 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация