PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin SOIC FDS6576

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8450386517
- Артикул
- FDS6576
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |