FDS6375, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074400703
- Артикул
- FDS6375
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- RDS-on
- 24@4.5V mOhm
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| RDS-on | 24@4.5V mOhm |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDS6375 |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 57 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.14 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | FDS6375_NL |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Typical Fall Time | 57 ns |
| Typical Rise Time | 9 ns |
| Max Processing Temp | 260 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 124 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 124 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |