FDS6375, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002524927
- Артикул
- FDS6375
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- RDS-on
- 24@4.5V mOhm
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 146,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench® Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4mm |
| RDS-on | 24@4.5V mOhm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.23 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Typical Fall Time | 57 ns |
| Typical Rise Time | 9 ns |
| Структура | N-Channel |
| Max Processing Temp | 260 |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 124 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |