FDS5670, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 10А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062193962
- Артикул
- FDS5670
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.9 mm
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.9 mm |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | FDS5670 |
| Fall Time | 23 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.11 |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | FDS5670_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.9nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 39 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |