FDS4935BZ, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -30В, -6,9А, 1,6Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540955
- Артикул
- FDS4935BZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.9 mm
Цена по запросу
(от 93,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -30В, -6,9А, 1,6Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.9 mm |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | FDS4935BZ |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 13 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 13 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.23 |
| Unit Weight | 0.006596 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Transistor Type | 2 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | -6.9 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 22 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.6 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |