Моя заявка (0)
FDS4935BZ, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013010024
Артикул
FDS4935BZ
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
3.9 mm
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width3.9 mm
Height1.75 mm
Length4.9 mm
SeriesFDS4935BZ
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time13 ns
PackagingReel
Pin Count8
Rise Time13 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.23
Unit Weight0.006596 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOIC
ConfigurationDual Dual Drain
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-8
Transistor Type2 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels2 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation1.6 W
Особенности-
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation1.6 W
Typical Gate Charge @ Vgs29 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage25 V
Typical Turn-On Delay Time12 ns
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-Off Delay Time68 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current-6.9 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min22 S
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance22 mΩ
Maximum Continuous Drain Current6.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-30 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация