FDS4559, Транзистор полевой, n/Транзистор P-МОП, полевой, 60/-60В, 4,5/-3,5А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041296977
- Артикул
- FDS4559
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4mm
Цена по запросу
(от 107,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4mm |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | PowerTrench |
| Fall Time | 6 ns, 12 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 8 ns, 10 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.15 |
| Unit Weight | 0.006596 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | N-Channel, P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | FDS4559_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V, 15 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns, 7 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns, 19 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Transconductance - Min | 14 S, 9 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ, 105 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A, 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |