FDS4470, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12,5А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004019621
- Артикул
- FDS4470
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.19
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 2.5Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 286,52 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12,5А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.19 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.006Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 12.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.9В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.006Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |