Моя заявка (0)

FDS4465, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -13,5А, 2,5Вт, SO8

FDS4465, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -13,5А, 2,5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8019805700
Артикул
FDS4465
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
3.9 mm
Цена по запросу
(от 162 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи на автомобильном рынке с полным соблюдением стандартов качества, безопасности и надежности.

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width3.9 mm
Height1.75 mm
Length4.9 mm
SeriesFDS4465
Fall Time140 ns
PackagingReel
Pin Count8
Rise Time24 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.12
Unit Weight0.004586 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOIC
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-8
Part # AliasesFDS4465_NL
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation2.5 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs86 nC @ 4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
Typical Turn-On Delay Time20 ns
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time300 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current-13.5 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min70 S
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
Maximum Continuous Drain Current13.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance8.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V

Техническая документация