FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -8,8А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540954
- Артикул
- FDS4435BZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.9 mm
Цена по запросу
(от 49,02 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -8,8А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.9 mm |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | FDS4435BZ |
| Fall Time | 38 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 13 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.13 |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | FDS4435BZ_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | -8.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 24 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 16 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Крутизна характеристики, S | 24 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |