Моя заявка (0)

FDS3572, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 5,6А; 2,5Вт; SO8

FDS3572, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 5,6А; 2,5Вт; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062570503
Артикул
FDS3572
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDS3572
Fall Time:
13 ns
Цена по запросу
(от 226,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDS3572
Fall Time:13 ns
Rise Time:14 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Part # Aliases:FDS3572_NL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:31 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:8.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:16 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация