Моя заявка (0)

FDS2734, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 3А, 2,5Вт, SO8

FDS2734, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 3А, 2,5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048948436
Артикул
FDS2734
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 275,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:11 ns
Rise Time:11 ns
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOIC-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:32 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:15.1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:97 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация