Моя заявка (0)
FDS2672, MOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442800
Артикул
FDS2672
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDS2672
Fall Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 253,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDS2672
Fall Time:10 ns
Rise Time:10 ns
Tradename:UltraFET
Вес, г0.13
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:43 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)2.5W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)46nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.535nF@100V
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Continuous Drain Current (Id)3.9A
Id - Continuous Drain Current:3.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:15 S
Rds On - Drain-Source Resistance:70 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)45pF@100V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)70мОм

Техническая документация