FDS2582, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 2,6А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022420416
- Артикул
- FDS2582
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- null
- Вес, г
- 0.13
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 157,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 2,6А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 0.13 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.29nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.1A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 66mΩ@4.1A, 10V |