Моя заявка (0)

FDPF7N60NZ, N-Channel MOSFET, 6.5 A, 600 V UniFET, 3-Pin TO-220F

FDPF7N60NZ, N-Channel MOSFET, 6.5 A, 600 V UniFET, 3-Pin TO-220F

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013010030
Артикул
FDPF7N60NZ
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.9mm
Series
UniFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 190 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.

Технические параметры

Width4.9mm
SeriesUniFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220F
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation33Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation33 W
Typical Gate Charge @ Vgs13 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance1.25 Ω
Drain Source On State Resistance1.05Ом
Maximum Continuous Drain Current6.5 A
Линейка ПродукцииUniFET II
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока6.5А
Рассеиваемая Мощность33Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220F
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.05Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация