FDPF6N60ZUT, UniFET Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009832314
- Артикул
- FDPF6N60ZUT
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.9mm
- Series
- UniFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 20
Цена по запросу
(от 550 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.
Технические параметры
| Width | 4.9mm |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 20 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 33.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |