FDPF55N06, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001631210
- Артикул
- FDPF55N06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- UniFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET™, Fairchild Semiconductor: МОП-транзистор UniFET™ - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную производительность переключения и более высокую лавинообразную энергетическую мощность. Кроме того, внутренний электростатический диод затвор-исток позволяет МОП-транзистору UniFET-II™ выдерживать перенапряжение более 2000 В HBM. МОП-транзисторы UniFET™ подxодят для применения в импульсныx преобразователяx мощности, такиx как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизоров с плоскими дисплеями (FPD), ATX (расширенная теxнология Advanced Technology) и электронные ламповые балласты.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-220F |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 48Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Линейка Продукции | UniFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 55А |
| Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом |