Моя заявка (0)

FDPF51N25RDTU, Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

FDPF51N25RDTU, Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039049767
Артикул
FDPF51N25RDTU
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 246 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 250V 51A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для трубки TO-220F

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Package Width4.9(Max)mm
Package Length10.36(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220F
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyUniFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)130
Typical Rise Time (ns)465
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)38000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)55
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)55@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)62
Maximum Drain Source Voltage (V)250
Typical Turn-Off Delay Time (ns)98
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)51
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2620@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)60@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А51
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация