FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F]
![FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F]](https://static.epl-electro.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000362284
- Артикул
- FDPF51N25
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Корпус
- TO-220F
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FDPF51N25 от производителя ONSEMI представляет собой мощный компонент для схем, требующих высокого напряжения и тока. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 30 А и выдерживает напряжение сток-исток до 250 В. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,048 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности, которая составляет 38 Вт. Устройство заключено в прочный корпус TO220F, гарантирующий надежность и долговечность в широком спектре электронных применений. Приобретая FDPF51N25, вы получаете качественный компонент, соответствующий самым строгим требованиям современной электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 30 Напряжение сток-исток, В 250 Мощность, Вт 38 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.048 Корпус TO220F
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Корпус | TO-220F |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/25.5А, 10В |