FDPF51N25, Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308258
- Артикул
- FDPF51N25
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FDPF51N25 от производителя ONSEMI представляет собой мощный компонент для схем, требующих высокого напряжения и тока. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 30 А и выдерживает напряжение сток-исток до 250 В. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,048 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности, которая составляет 38 Вт. Устройство заключено в прочный корпус TO220F, гарантирующий надежность и долговечность в широком спектре электронных применений. Приобретая FDPF51N25, вы получаете качественный компонент, соответствующий самым строгим требованиям современной электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 30 Напряжение сток-исток, В 250 Мощность, Вт 38 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.048 Корпус TO220F
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TO-220FP |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 38(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 250(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 51(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |