UniFET N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V, 3-Pin TO-220F FDPF39N20
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010534774
- Артикул
- FDPF39N20
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- UniFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Длина
- 10.36 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET™, Fairchild Semiconductor: МОП-транзистор UniFET™ - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную производительность переключения и более высокую лавинообразную энергетическую мощность. Кроме того, внутренний электростатический диод затвор-исток позволяет МОП-транзистору UniFET-II™ выдерживать перенапряжение более 2000 В HBM. МОП-транзисторы UniFET™ подxодят для применения в импульсныx преобразователяx мощности, такиx как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизоров с плоскими дисплеями (FPD), ATX (расширенная теxнология Advanced Technology) и электронные ламповые балласты.
Технические параметры
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FDPF39N20 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Высота | 16.07 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 150 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 37 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 66 mΩ |
| Время нарастания | 160 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 37 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 56 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 39 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 28.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |