FDPF390N15A, MOSFETs 150V NCHAN PwrTrench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833899
- Артикул
- FDPF390N15A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO220FP
- Width
- 4.9mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 197,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Width | 4.9mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDPF390N15A |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 18.6nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-220F |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 10A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Power Dissipation | 22Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.6 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 150V |
| Pulsed drain current | 60A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 22 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 22 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |