FDPF2D3N10C, MOSFETs PTNG N-CH 100V/120V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584576
- Артикул
- FDPF2D3N10C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO220FP
- Width
- 4.9mm
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 836,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTNG N-CH 100V/120V
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Width | 4.9mm |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 2.27 |
| Серия | FDPF2D3N10C |
| Gate charge | 152nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 157A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 45W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 2.3mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 888A |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 32 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220F-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 152 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
| Время нарастания | 35 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 222 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 222 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 74 ns |
| Типичное время задержки при включении | 42 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 222 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |