FDPF20N50T, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018885763
- Артикул
- FDPF20N50T
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 2.22
- Длина
- 10.36 mm
- Серия
- FDPF20N50T
Цена по запросу
(от 752 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V 20A NCH МОП-транзистор
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 2.22 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FDPF20N50T |
| Высота | 16.07 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 105 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 375 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 95 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 24.6 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |