FDPF20N50FT, MOSFETs 500V N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833895
- Артикул
- FDPF20N50FT
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO220FP
- Width
- 4.9mm
- Series
- UniFET
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 407,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Width | 4.9mm |
| Series | UniFET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | UniFET™ |
| Вес, г | 2.3 |
| Gate charge | 65nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-220F |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 12.9A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 38.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.26Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 38.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 260 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |