FDPF18N50, MOSFETs 500V N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833891
- Артикул
- FDPF18N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4.9 mm
- Height
- 16.07 mm
Цена по запросу
(от 367,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой, n-канальный, 500В, 10,8А, 38,5Вт, TO220F Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.9 mm |
| Height | 16.07 mm |
| Length | 10.36 mm |
| Series | FDPF18N50 |
| Fall Time | 90 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 165 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 471 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FDPF18N50 |
| Unit Weight | 0.080072 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220F |
| Высота | 16.07 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 90 ns |
| Pd - Power Dissipation | 38.5 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 38.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 55 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 95 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 25 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 265 mΩ |
| Время нарастания | 165 ns |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 265 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 265 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 55 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |