Моя заявка (0)

FDPF18N20FT, Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Through Hole

FDPF18N20FT, Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003078299
Артикул
FDPF18N20FT
Бренд
ON Semiconductor***
Тип
MOSFET
Вес, г
2
Длина
10.36 mm
Серия
FDPF18N20FT
Цена по запросу
(от 298 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор UniFET 200V

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г2
Длина10.36 mm
СерияFDPF18N20FT
Channel TypeN Channel
Высота16.07 mm
КорпусTO-220
Ширина4.9 mm
УпаковкаTube
Power Dissipation41Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада40 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220FP-3
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания50 ns
Drain Source On State Resistance0.12Ом
Линейка ПродукцииUniFET FRFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока18А
Рассеиваемая Мощность41Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности41 W
Id - непрерывный ток утечки18 A
Коммерческое обозначениеUniFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds200В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220F
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения50 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.12Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.13.6 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.12 Ом

Техническая документация