Моя заявка (0)
FDPF12N60NZ, MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673902
Артикул
FDPF12N60NZ
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO220FP
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDPF12N60NZ
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 346 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; 600В; 7,2А; 240Вт; TO220F Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220FP
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDPF12N60NZ
MountingTHT
Fall Time:130 ns
Packaging:Tube
Rise Time:110 ns
TechnologyUniFET™
Tradename:UniFET
Вес, г127
Technology:Si
ManufacturerONSEMI
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current7.2A
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation240W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:34 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±30V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance0.65Ω
Drain-source voltage600V
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:39 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:60 ns
Typical Turn-Off Delay Time:170 ns
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:13.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:530 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Крутизна характеристики, S13.5
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт240
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)530 mOhms

Техническая документация