PowerTrench N-Channel MOSFET, 67 A, 100 V, 3-Pin TO-220F FDPF045N10A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8588504827
- Артикул
- FDPF045N10A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.9mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDPF045N10A
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 4.9mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDPF045N10A |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Packaging: | Tube |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220F |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 43Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 67A, 10V |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Power Dissipation (Max) | 43W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Id - Continuous Drain Current: | 67 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0037Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 67 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 67А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 67A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 43Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0037Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 67 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |